⑴月日消息 继前些天宣布开始量产采用第二代nm FinFET工艺技术（nm LPP的SOC芯片后，三星电子今天又公布了一个震惊业界的“喜讯”——全球首款GB嵌入式通用闪存（eUFS目前也进入了量产阶段！这究竟是怎么回事呢？
⑵据介绍，三星GB eUFS将用于下一代移动设备，该产品采用了三个三星最新的层千兆（GbV-NAND芯片和一个控制器芯片。
⑶为了最大限度发挥GB eUFS的性能和能源效率，三星推出了一套新的独家技术。三星GB eUFS控制器采用层Gb V-NAND先进的电路设计和新的电源管理技术，将能源消耗降到最低。另外，GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。
⑷三星GB eUFS读写性能也非常强大。GB嵌入式存储器的顺序读写速度分别达到MB/s和MB/s，能够在秒内将GB的全高清视频片段传输到SSD，相比于普通的micro SD卡速度提高了倍。
⑸对于随机操作，三星GB eUFS可以读取， IOPS并写入， IOPS。基于eUFS的快速随机写入，比传统micro SD卡的 IOPS速度快大约倍，移动用户可以享受无缝的多媒体体验，如高分辨率连拍，以及双重文件搜索和视频下载应用程序查看模式。
⑹此外，三星还计划稳步增加其层Gb V-NAND芯片的产量，并扩大Gb V-NAND芯片的产量，以满足高级嵌入式移动存储以及高密度、高性能的高级固态硬盘和可移动存储卡的需求。
⑺也就是说，明年的顶配旗舰手机产品的闪存极有可能会达到GB。不过，网友们对此的态度却截然相反，反对者认为“都用不了，要那么大到底有什么用呢”；而支持者则表示，“你不用，不代表科技不前进啊”！那么小伙伴们又如何看待此事呢？