⑴Intel在本周二的精尖制造日活动，谈到了超微缩FinFET的nm是如何先进，领先友商年，不过就在昨天（周三，Digitimes从笔记本OEM厂商那里获悉，Intel的Cannon Lake处理器将延期到年末。本周对于Intel的nm先进工艺来说，可谓坐过山车般。
⑵对此，网易报道称，Intel中国区总裁杨旭接受采访时强调，“Intel nm在今年第四季度就可以实现投产。”
⑶他同时指出，“我们现在已经有技术验证nm到nm都没有问题。而且我们在通过前瞻研究推进nm以后的，比如nm、nm，这些当然就需要很多别的新的技术，英特尔一直在探索。”
⑷不过，资料显示，从物理学的角度，nm以及之后需要解决绝缘体的问题，目前的nm/nm使用的是氮碳化硅硼（SiB，nm使用的是氮碳氧化硅（SiO，但用于nm的终极绝缘体气隙（air gap连IBM也没搞定。
⑸不过这还是只是一方面，III-V材料、EUV的光源功率等也都个个棘手。nm都来了！看来pm（皮米、fm（飞米也快了。